Substrate 바카라 체험머니 Epitaxie auf SiC-Basis

Stelle Sie ein breiten Spektrum von Hochleistungs-Leistungselektronikgeräten auf hochwertigen 바카라 체험머니-Wafern mit einem Durchmesser von bis zu 200 mm her.

바카라 체험머니 für die Leistungselektronik

Stellen Sie MOSFETs, IGBTs 바카라 체험머니 andere Komponenten für Hochtemperatur- 바카라 체험머니 Hochfrequenz-Leistungselektronik her, für den Einsatz in Elektro- 바카라 체험머니 Hybridfahrzeugen sowie in der Luft- 바카라 체험머니 Raumfahrt.

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바카라 체험머니 für RF-Elektronik

Erhöhen Sie die Produktion von GaN-on-SiC-RF-Leistungsverstärkern 바카라 체험머니 anderen RF- 바카라 체험머니 Mikrowellengeräten mit hochwertigen halbisolierenden SiC-Substraten von Coherent.

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바카라 체험머니-Epitaxie

Beschleunigen Sie die Markteinführung, senken Sie die Kosten 바카라 체험머니 verbessern Sie die Geräteleistung, indem Sie auf Hochleistungs-SiC-Epitaxiewafern von Coherent mit einem Durchmesser von bis zu 200 mm aufbauen.

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