材料

III-V 射频파라오 슬롯

RF Epitaxial Wafers

从我们生产的一致的高性能 III-V 파라오 슬롯开始，提高制造高速电子元件的效率、带宽和可靠性。

Coherent 在先进 III-VI 半导体파라오 슬롯的开发、设计和制造方面拥有广泛的能力。我们能够帮助您轻松地将下一代技术融入您的应用中，并为您的批量生产提供大力支持。

射频晶圆能力

供应用于无线设备、数据中心、高速通信网络等的 2 英寸至 6 英寸晶圆。

数据表

设备类型

基材

材料性能

晶圆直径

EpiHBT®

GaAs

InGaP/GaAs、AlGaAs/GaAs

高达 150 毫米

InP

InP/InGaAs

高达 100 毫米

EpiBiFET®

GaAs

InGaP/GaAs、AlGaAs/GaAs

高达 150 毫米

InP

InP/InGaAs、InP/InAlAs

高达 100 毫米

EpiFET®

GaAs

AlGaAs/GaAs、InGaP/GaAs

高达 150 毫米

InP

InP/InGaAs、InP/InAlAs

高达 100 毫米

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