Substrate und Epitaxie auf 카지노사이트-Basis

SiC für 카지노사이트 Leistungselektronik

카지노사이트 for Power Electronics

Stellen Sie MOSFETs, IGBTs 카지노사이트 andere Komponenten für Hochtemperatur- 카지노사이트 Hochfrequenz-Leistungselektronik her, für den Einsatz in Elektro- 카지노사이트 Hybridfahrzeugen sowie in der Luft- 카지노사이트 Raumfahrt.

Unsere leitfähigen 카지노사이트-Substrate zeichnen 카지노사이트h durch einen niedrigen spezifischen Widerstand, eine geringe Defektdichte, eine hohe Homogenität, eine hervorragende Kristallqualität und eine hohe Wärmeleitfähigkeit aus und ermöglichen so Bauteile mit geringer Verlustleistung, Hochfrequenzbetrieb und guter thermischer Stabilität.

n-Typ Siliziumkarbid Werkstoff – Eigenschaften

Coherent verbessert kontinuierlich 카지노사이트 Qualität seiner Werkstoffe und vergrößert 카지노사이트 Substratdurchmesser, damit unsere Kunden 카지노사이트 Leistung ihrer Geräte steigern und 카지노사이트 Kosten senken können.

Datenblätter

n-Typ Siliziumkarbid Werkstoff – Eigenschaften

Physikalische Eigenschaften

Struktur

Sechseckig, Einkristall

Durchmesser

Bis zu 200 mm

Grade

Prime, Entwicklung, Mechanik

Thermische Eigenschaften

Wärm카지노사이트eitfähigkeit

370 (W/mK) bei Raumtemperatur

Wärmeausdehnungskoeffizient

4,5 x 10-6/K

Spezifische Wärme (25 °C)

0,71 (J/g°C)

Weitere wichtige Eigenschaften von Coherent 카지노사이트-Substraten (typische Werte)

Parameter

N-Typ

Polytyp

4H

Dotierstoff

Stickstoff

Widerstand

1019 Ohm -cm

Ausrichtung

4° außeraxial

Rauhigkeit, Ra

< 5 Å

Versetzungsdichte

~3.000 cm-2

Mikrorohrdichte

< 10 cm-2

Verwandte Produkte