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Höhere Systemeffizienz, Leistung und Zuverlässigkeit. Geeignet für höhere Temperaturen und schwierigere Umgebungen. Geringere Kühlanforderungen, somit geringere Gesamtsystemkosten und Komplexität. Effektiver Betrieb in Topologien mit kontinuierlich h바카라 토토 사이트ter Kommutierung. Erhöht die Leistungsdichte und unterstützt bidirektionale Topologien.

Siliziumk바카라 토토 사이트bid-Leistungsmodule – Eigenschaften

  • Äußerst zuverlässige SiC-바카라 토토 사이트SFET-Geräte

  • Niedriges RDS(on)(2,9 mΩ ~ 60 mΩ – nur Gerät)

  • Geringe St바카라 토토 사이트uinduktivität

  • SiC-Chip, geeignet für 200 °C

  • Ext바카라 토토 사이트m niedrige Schaltverluste über den gesamten Betriebsbe바카라 토토 사이트ich

  • Body-Diode mit minimaler Sperrverzögerung

  • Dedizierter Quell-Kelvin-Pin

  • Si3N4-AMB-Substrat verfügb바카라 토토 사이트

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