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Höhere Systemeffizienz, Leistung und Zuverlässigkeit. Geeignet für höhere Temperaturen und schwierigere Umgebungen. Geringere Kühlanforderungen, somit geringere Gesamtsystemkosten und Komplexität. Effektiver Betrieb in Topologien mit kontinuierlich h바카라 토토 사이트ter Kommutierung. Erhöht die Leistungsdichte und unterstützt bidirektionale Topologien.

Siliziumkarbid-Leistungs바카라 토토 사이트 – Eigenschaften

  • Äußerst zuverlässige SiC-MOSFET-Geräte

  • Niedriges RDS(on)(2,9 mΩ ~ 60 mΩ – nur Gerät)

  • Geringe Streuinduktivität

  • SiC-Chip, geeignet für 200 °C

  • Extrem niedrige Schaltverluste über den gesamten Betriebsbereich

  • Body-Diode mit minimaler Sperrverzögerung

  • Dedizierter Quell-Kelvin-Pin

  • Si3N4-AMB-Substrat verfügb바카라 토토 사이트

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