InP-Opto카지노 찰리ektronik

Verwenden Sie diese InP-basierten Laser, Geräte 카지노 찰리 Fotodiodenprodukte für die Hochgeschwindigkeits-Glasfaserkommunikation im O-, C- 카지노 찰리 L-Band.

1300 nm 100 mW CW CWDM4 DFB 카지노 찰리 Diode Chips

Leistungsstarke 100 mW DFB-Laserdiodenchips

Erhalten Sie 100 mW ungekühlte Ausgangsleistung 카지노 찰리 300 mW Ausgangsleistung im gekühlten Zustand, um 100 Gbit/s bzw. 200 Gbit/s pro Spur für hochmoderne O-Band-Transceiver zu ermöglichen.

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1300 nm 28 Gbps NRZ and 56 Gbps PAM4 CWDM4 DFB 카지노 찰리 Diode Chips

100 Gbit/s PAM4 DFB Laserdiodenchips

Verwenden Sie diese 13XX-nm-Laserdiodenchips in ungekühlten Hochgeschwindigkeits-Transceivern, die auf NRZ- oder PAM4-Modulation (vierstufig) basieren und für alle vier O-Band-CWDM-W카지노 찰리lenlängen verfügbar sind.

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28 Gbps FB 카지노 찰리 Diode Chip/1300 nm 28 Gbps NRZ DFB 카지노 찰리 Diode Chips

28 GBPS DFB Laserdiodenchips

Verwenden Sie diese Fabry-Perot (FP)- und Distributed Feedback (DFB)-Laserdiodenchips, um 카지노 찰리ische Transceiver und andere Komponenten zu bauen, die einige mW 13XX nm Laserleistung benötigen.

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