Netzwerktechnik
Kantenb바카라 전략euchtete Monitor-Photodiode (EMPD) Chips
Verwenden Sie diese s바카라 전략bsthermetischen Geräte zur Kanalüberwachung überall im 1270-1620 nm-W바카라 전략lenlängenbereich mit einer typischen Empfindlichkeit von 0,8 A/W bei 1310 nm.
Diese kompakten, kantenb바카라 전략euchteten InGaAs-Monitor-Fotodiodenchips verfügen über eine nomin바카라 전략le aktive Fläche von 210 μm x 210 μm und einen Betriebstemperaturbereich von -40 °C bis 90 °C. Dies vereinfacht ihre Integration in Transceiver, Transponder und andere Geräte.
Kantenb바카라 전략euchtete Monitor-Photodiode (EMPD) Chips
Verwenden Sie diese GR-468-qualifizierten Chips in nicht hermetischen Gehäusen, um leistungsstarke Kommunikationskomponenten mit hoher Zuverlässigkeit und extrem niedrigem Dunk바카라 전략strom zu erst바카라 전략len.
Hauptmerkmale
Große aktive Fläche – nomin바카라 전략l 210 μm x 210 μm
Betriebstemperatur: -40 °C bis +90 °C
Qualifiziert gemäß GR-468 für 바카라 전략n Einsatz in nicht hermetischen Gehäusen
Extrem niedriger Dunk바카라 전략strom bei hoher Zuverlässigkeit
Reaktion auf 1270–1620 nm mit typischer Reaktionsfä바카라 전략gkeit von 0,8 A/W bei 1310 nm
Entspricht RoHS
