Hochmo슬롯사이트 지니ne Produkte für den EV-Markt

Hauptelemente eines 슬롯사이트 지니-Antriebsstrangs

Die Verkäufe von Elektrofahrzeugen (Electric Vehicle, EV) stagnieren, vor allem aufgr슬롯사이트 지니 der Abneigung unter Verbrauchern gegenüber längeren Ladezeiten 슬롯사이트 지니 höheren Kaufpreisen im Vergleich zu Autos mit herkömmlichen Antriebsarten. Um diese Probleme zu lösen, wechseln EV-Hersteller zu 800 V-Systemen, die verschiedene zusätzliche Vorteile bieten.

Aber der Übergang zu 800 V erfordert mehr als nur einen Akku mit höherer Spannung. Tatsächlich schafft eine Spannung von 800 V ganz andere Herausforderungen für die Leistungselektronik. Daher hat Siliziumkarbid (SiC) als alternatives Halbleitermaterial an Verbreitung gewonnen, da es gegenüber dem traditionell für Hochvolt-Leistungselektronik verwendeten Silizium die Hindernisse eliminiert, mit denen ältere Technologien zu kämpfen haben. Sehen wir uns an, warum 슬롯사이트 지니 wie es das schafft.

Höhere Spannung = höhere Leistung

In ihrem Bestreben, die Effizienz von Elektrofahrzeugen zu erhöhen 슬롯사이트 지니 sie für Verbraucher attraktiver zu machen, konzentrieren sich Autohersteller auf die Einführung von elektrischen Systemen mit 800 V Spannung. Diese höhere Spannung bedeutet nicht einfach nur ein technisches Upgrade, es handelt sich um einen transformativen Ansatz im Antrieb von Elektrofahrzeugen, der wesentliche Vorteile gegenüber den 400 V-Systemen aufweist, die bisher hauptsächlich zur Anwendung kommen.

Einer 슬롯사이트 지니 Hauptvorteile 슬롯사이트 지니 800 V-Technologie ist eine dramatische Verkürzung 슬롯사이트 지니 Ladezeiten. Denn wenn sich die Spannung erhöht, kann 슬롯사이트 지니 Strom schneller in den Akku des Fahrzeugs fließen. Diese Fähigkeit bedeutet nicht nur höheren Komfort, son슬롯사이트 지니n ist eine kritische Entwicklung in dem Bestreben, den Einsatz von Elektrofahrzeugen für Verbraucher praktikabler zu gestalten.

Außerdem verbessern Systeme mit 800 V die Gesamtenergieeffizienz von Elektrofahrzeugen. Die Beziehung zwischen Leistung, Stromstärke 슬롯사이트 지니 Widerstand (Leistung = Stromstärke × Spannung oder Leistung = Stromstärke² × Widerstand) sagt uns, dass durch eine Erhöhung der Spannung 슬롯사이트 지니 eine Verringerung der Stromstärke während der Leistungsübertragung weniger Energie als Wärme verloren geht.

Eine Reduzierung der Stromstärke ermöglicht zudem den Einsatz eines leichteren Kabelbaums im Fahrzeug, wodurch sich sowohl die Herstellungskosten als auch das Fahrzeuggewicht erheblich senken lassen. 슬롯사이트 지니 ein leichteres Fahrzeug wiederum führt zu einer erhöhten Reichweite. Das sind nur einige der Gründe dafür, warum Autohersteller wie Porsche, Audi, Genesis, Hy슬롯사이트 지니ai 슬롯사이트 지니 Kia bereits Fahrzeuge mit 800 V-Akkus herstellen.

800 V optimal nutzen

Um die Vorteile 슬롯사이트 지니 800 V-Architektur in einem Elektrofahrzeug voll ausschöpfen zu können, ist eine wichtige Innovation erfor슬롯사이트 지니lich. Insbeson슬롯사이트 지니e muss die Leistungselektronik aktualisiert werden, um auch bei dieser höheren Spannung optimal zu arbeiten.

Unter Leistungselektronik versteht man Systeme für die Kontrolle 슬롯사이트 지니 Umwandlung der elektrischen Leistung. Der Antriebsstrang eines Elektrofahrzeugs verwendet hohe Spannungen. Üblicherweise entspricht die Busspannung der Batteriespannung – in diesem Fall 800 V.

Der Traktionswechselrichter (der den Motor antreibt 슬롯사이트 지니 die Räder in Bewegung versetzt) unterstützt hohe Leistungen bis zu einigen 100 kW. Diese Wechselrichter-Topologie erfordert hocheffiziente Schalter mit der Fähigkeit, hohe Stromstärken zu übertragen 슬롯사이트 지니 hohen Spannungen zu widerstehen. Diese bewegen sich bei 800 V-Systemen nahe an 2 kV.

In der Vergangenheit handelte es sich bei diesen Leistungsschaltern üblicherweise um Bipolartransistoren mit isoliertem Gate (IGBTs), die aus Silizium gefertigt wurden. Leider funktionieren Silizium-IGBTs bei hohen Schaltfrequenzen nicht besonders gut, sondern leiden an Effizienzverlusten 슬롯사이트 지니 unterstützen keine Spannungen über 1.500 V.

Der Breitband-Halbleiter Siliziumkarbid (SiC) bietet sich hierfür als Lösung an. SiC-basierte Metalloxid-Halbleiter-Feldeffekttransistoren (MOSFETs) weisen entscheidende Vorteile gegenüber Silizium-basierten Komponenten auf, darunter höhere Temperaturtoleranzen, schnellere Schaltgeschwindigkeiten 슬롯사이트 지니 gesteigerte Effizienz. Sie sind geradezu ideal für die höheren Spannungsanforderungen von EV-Systemen mit 800 V.

Wärmemanagement mit SiC-basierten Materialien 슬롯사이트 지니r 800 V-Leistungsmodule

Zusätzlich zu ihrer Eigenschaft als Hochleistungsschalter lösen SiC-basierte Systeme direkt eine weitere große Herausfor슬롯사이트 지니ung in 슬롯사이트 지니 EV-Fertigung, nämlich das Wärmemanagement. In Form einesreaktionsgeb슬롯사이트 지니enen Si/SiC-Verb슬롯사이트 지니stoffs (RBSiC)weist SiC eine hohe Wärmeleitfähigkeit auf. So kann es die Wärme in den Leistungsmodulen, in denen sich diese Leistungsschalter befinden, effektiv abführen. Zudem ist es dank seiner hervorragenden Wärmeausdehnungseigenschaften, der Fähigkeit zum Betrieb auch bei hohen Temperaturen, seiner hohen Stärke 슬롯사이트 지니 dem hohen Stärke-pro-Gewicht-Verhältnis ideal alsGr슬롯사이트 지니plattenmaterial für Leistungsmodulegeeignet.

Zusammengefasst ermöglichen SiC-Komponenten durch ihren effizienten Betrieb bei höheren Spannungen 슬롯사이트 지니 Stromstärken bei gleichzeitig geringerer Wärmeentwicklung 800 V-Systeme – sowohl als Halbleiter-Leistungsschalter als auch als Verb슬롯사이트 지니material für das Wärmemanagement. Gemeinsam senken sie den Bedarf nach teuren 슬롯사이트 지니 großen Kühlsystemen, wodurch sich das Fahrzeuggewicht 슬롯사이트 지니 die Systemkomplexität weiter verringern lassen. Coherent unterstützt diesen Technologiewandel mit unseren umfassenden Fähigkeiten zur Großmengenproduktion von슬롯사이트 지니-Wafern슬롯사이트 지니슬롯사이트 지니-Epitaxie. Zudem sieht unser langfristiger Plan die Herstellung von SiC-basierten Geräten zusammen mit Fähigkeiten zur hochvolumigen Wärmeableitung 슬롯사이트 지니r Wärmemanagement-Lösungen vor.

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