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SiC 功率器件和模块

碳化硅分立式 카지노 사이트SFET

利用我们的高电压、高开关频率 SiC 카지노 사이트SFET 创建具有更高效率和更低工作温度的电源转换系统。

Coherent高意的 SiC 카지노 사이트SFET 能够比现有的硅器件提供更加出色的能效和性能，是唯一具有 200°C 结温能力的产品，并具有业界经认可的雪崩额定值和卓越的 RDS(on)。

碳化硅 카지노 사이트SFET 特性

  • 高电压和低 RDS(on)，高达 200°C。

  • 通过超低栅极电阻实现快速开关。

  • 极低、恒温的开关损耗。

  • 雪崩鲁棒性优于硅

  • 通过快恢复寄生二极管实现同步整流。

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