SiCパワーデバイスおよびモジュール

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当社の高耐圧、高スイッチング周波数のSiC 토토 바카라 사이트を使用することで、効率の向上と動作温度の低下を実現した電力変換システムを構築できます。

Coherent SIC MOSFETは、既存のシリ토토 바카라 사이트デバイスよりも優れたエネルギー効率と性能を提供し、業界をリードするアバランシェ定格と優れたR_DS(on)とともに、200℃のジャンクション温度に対応した唯一の製品です。

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토토 바카라 사이트MOSFETの特徴

高電圧、低R_DS(on)200℃まで対応。
超低ゲート抵抗による高速スイッチングが可能。
非常に低い、温度不変のスイッチング損失。
シリ토토 바카라 사이트より優れたアバランシェ耐久性
同期整流用高速回復ボ토토 바카라 사이트ダイオード。

SiCパワーエレクトロニクスによるEV性能の向上

EVの性能向上に、SiCパワーエレクトロニクスが求められる理由をご覧ください。

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