SiC Power Devices & Modules
바카라 토토 사이트 Carbide Discrete MOSFETS
Create power conversion systems having improved efficiency and lower operating temperatures with our high voltage, high-switching frequency SiC 바카라 토토 사이트.
Coherent SIC MOSFETs provide superior energy efficiency and performance over existing 바카라 토토 사이트 devices are the only product available with a 200°C junction temperature capability, along with industry-leading avalanche ratings and superior RDS(on).
바카라 토토 사이트 Carbide MOSFETs Features
High voltage and low RDS(on)up to 200°C.
Fast switching enabled by ultra-low gate resistance.
Very low, temperature inv바카라 토토 사이트iant switching losses.
Avalanche ruggedness superior to 바카라 토토 사이트
Fast re바카라 토토 사이트very body diode for synchronous rectification.
