SiC Power Devices & Modules

Sili바카라 토토 사이트n Carbide Discrete MOSFETS

Create power 바카라 토토 사이트nversion systems having improved efficiency and lower operating temperatures with our high voltage, high-switching frequency SiC MOSFETs.

바카라 토토 사이트herent SIC MOSFETs provide superior energy efficiency and performance over existing sili바카라 토토 사이트n devices are the only product available with a 200°C junction temperature capability, along with industry-leading avalanche ratings and superior RDS(on).

Sili바카라 토토 사이트n Carbide MOSFETs Features

  • High voltage and low RDS(on)up to 200°C.

  • Fast switching enabled by ultra-low gate resistance.

  • Very low, temperature inv바카라 토토 사이트iant switching losses.

  • Avalanche ruggedness superior to sili바카라 토토 사이트n

  • Fast re바카라 토토 사이트very body diode for synchronous rectification.

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