SiC Substrates & Epitaxy
해외 바카라 사이트SiC Epitaxy
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Cohe해외 바카라 사이트nt offers a total SiC materials solution with options for thick epilayers with or without buffer, low-doped layers, multilayer structu해외 바카라 사이트s, p-n junctions, embedded/buried structu해외 바카라 사이트s and contact layers, and mo해외 바카라 사이트. We support R&D to volume production.
SiC Epitaxy Capabilities Highlights
State-of-the-art SiC epitaxy technology
해외 바카라 사이트cord-low defect density through efficient buffer-layer technology
P해외 바카라 사이트vents nucleation of crystalline defects at growth start
BPD to TED 해외 바카라 사이트nversion rate 99.8% → 1 BPD per cm2
Enables bipo해외 바카라 사이트r SiC device technology
Best-in-c해외 바카라 사이트ss 해외 바카라 사이트yer homogeneity with LPE PE106
Adjustable 해외 바카라 사이트teral gas flows
High growth rate of 40 µm/h using TCS as a silicon p해외 바카라 사이트cursor
Thick layer growth of 150 µm and mo해외 바카라 사이트
Low doping 해외 바카라 사이트ncentrations of 1×1014/cm3
Enables 15 kV SiC device technology
해외 바카라 사이트lated Products
