해외 바카라 사이트 Substrates & Epitaxy
해외 바카라 사이트 Epitaxy
Accelerate time-to-market, reduce costs, and improve device performance by building on high-performance 해외 바카라 사이트 epitaxial wafers from Coherent in up to 200 mm diameter.
Coherent offers a total 해외 바카라 사이트 materials solution with options for thick epilayers with or without buffer, low-doped layers, multilayer structures, p-n junctions, embedded/buried structures and contact layers, and more. We support R&D to volume production.
해외 바카라 사이트 Epitaxy Capabilities Highlights
State-of-the-art 해외 바카라 사이트 epitaxy technology
해외 바카라 사이트cord-low defect density through efficient buffer-layer technology
P해외 바카라 사이트vents nucleation of crystalline defects at growth start
BPD to TED conversion rate 99.8% → 1 BPD per cm2
Enables bipolar 해외 바카라 사이트 device technology
Best-in-class layer homogeneity with LPE PE106
Adjustable lateral gas flows
High growth rate of 40 µm/h using TCS as a silicon p해외 바카라 사이트cursor
Thick layer growth of 150 µm and mo해외 바카라 사이트
Low doping concentrations of 1×1014/cm3
Enables 15 kV 해외 바카라 사이트 device technology
해외 바카라 사이트lated Products
